課題・要望
昨今の脱炭素化や省エネルギー化の推進を狙って、パワー半導体の需要が拡大しています。通常の半導体と比べ、より高電圧・大電流を扱うため、試験時にも大電流付加試験を行う必要が出てきました。それに対応できるプローブピンやICソケットを検討してほしいとのことです。
精研からの提案
- プローブの材質、表面処理、適した先端形状等を見直し、通常プローブよりも電流が流せるプローブを使用しました。
- プローブ1本あたりには限られた電流しか流せませんが、コンタクト可能なエリアにできる限りのプローブを配置することにより、数千Aの電流付加治具の製作が可能です。
改善・実現したこと
- 1デバイスに対して3000A程度の電流付加を実現しました。※デバイスのサイズによります。
- プローブを多ピン設置することにより、交換性やランニングコストの削減が可能になりました。
- プローブ単体においても、通常プローブより電流付加に耐えられる仕様となっています。
用途
IGBT、MOSFETなどの各種パワーデバイスの検査治具です。